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綜合

  • 高壓大功率MOSFET器件封裝設計

    發(fā)布時(shí)間：2023-04-20
    截止時(shí)間：2028-12-31
    投入預算：20萬(wàn)元
    需求類(lèi)型：技術(shù)難題需求
    聯(lián)系人：張琦
    聯(lián)系人電話(huà)：0516-83896150，18751512951
    所在地：江蘇省
    簡(jiǎn)介： 對于功率器件而言，低導通損耗是產(chǎn)品應用選型的重要參考依據。尋求針對功率MOS降低導通內阻RDSON的技術(shù)及產(chǎn)品。1. 影響RDSON主要因素：A：從芯片而言，改進(jìn)芯片導通溝道結構，尋求提升性能；B：從封裝而言，優(yōu)化封裝結構設計降低寄生內阻，實(shí)現MOS產(chǎn)品低的RDSON 參數測試值；2. 目前行業(yè)內的主要做法：A：從芯片而言：（1）芯片工藝結構不變的基礎上減薄芯片，以降低襯底電阻實(shí)現低的導通內阻；（2）增大單顆芯片尺寸，犧牲晶圓成本換取RDSON參數提升；B：...
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    對于功率器件而言，低導通損耗是產(chǎn)品應用選型的重要參考依據。尋求針對功率MOS降低導通內阻RDSON的技術(shù)及產(chǎn)品。1. 影響RDSON主要因素：A：從芯片而言，改進(jìn)芯片導通溝道結構，尋求提升性能；B：從封裝而言，優(yōu)化封裝結構設計降低寄生內阻，實(shí)現MOS產(chǎn)品低的RDSON 參數測試值；
    2. 目前行業(yè)內的主要做法：A：從芯片而言：（1）芯片工藝結構不變的基礎上減薄芯片，以降低襯底電阻實(shí)現低的導通內阻；（2）增大單顆芯片尺寸，犧牲晶圓成本換取RDSON參數提升；B：從封裝而言，采用Clip工藝取代鋁帶、銅線(xiàn)工藝，從而降低封裝內阻；
    3. 后續希望研究方向：A：從芯片而言，借鑒國際同行MOS芯片制造工藝，改進(jìn)芯片結構工藝設計，從根本實(shí)現低的導通內阻，目前英飛凌已經(jīng)推出第五代MOS產(chǎn)品，技術(shù)壁壘等因素，相對較難；B：從封裝而言，優(yōu)化封裝結構設計，降低封裝寄生內阻，實(shí)現MOS產(chǎn)品低RDSON；C：同時(shí)優(yōu)化框架結構設計，增強框架密度，提升框架利用率，降低成本。
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